秦国刚，1934年3月生，江苏昆山人。著名半导体材料和器件物理专家，中国科学院院士。1956 年毕业于bob登陆网站 物理系，1961 年研究生毕业，师从黄昆先生，此后长期在bob登陆网站 从事教学和科研工作。历任bob登陆网站 物理系半导体物理教研室主任，bob登陆网站 物理学院学术委员会副主任和学位委员会主席等职。

秦国刚长期从事半导体材料物理和器件物理及其应用的研究，在纳米硅氧化硅材料体系发光，硅基电致发光和激光，低维和纳米化合物半导体，硅基和石墨烯基有机半导体电致发光，新型太阳电池和等离子体激励下半导体中原子室温扩散等多个研究领域作出了重要贡献，发表学术论文 300 余篇，授权国家发明专利 20 余项，其中转让专利 10 项。作为第一完成人，“单晶硅中氢的行为和与氢有关的缺陷”合作研究成果获 1987 年国家教委科技进步奖一等奖，“纳米硅 / 氧化硅材料体系发光及其物理机制” 获 2005 年北京市科学技术奖一等奖，“纳米硅 - 纳米氧化硅体系发光及其物理机制”获2007 年国家自然科学奖二等奖。个人获中国物理学会 2000-2001 年度叶企孙奖，2008 年何梁何利基金科学与技术进步奖。秦国刚对自己高标准要求，对学生也十分严格。他每周都要与每个学生至少讨论一次，要求他们每周做工作小结。他欣赏学生的创意，哪怕很小；反对学生人云亦云。他先后培养研究生和博士后六十余名，博士生中获叶企孙实验物理基金奖一等奖和二等奖各一次，获第 19 届国际半导体物理大会（1992 年）最佳青年论文奖一次。