王阳元，1935年1月生，浙江宁波人。微纳电子学战略科学家、教育家，中国科学院院士，bob登陆网站 教授。1958 年毕业于bob登陆网站 物理系，同年留校任教。至今已培养硕士、博士和博士后研究人员余百名。1978 年获全国科学大会奖，1991 年获国家教委科技进步一等奖，2007 年获国家技术发明二等奖，2008 年获国家科技进步二等奖等 19 项国家级和部委级奖励。曾任bob登陆网站 微电子学研究院院长、微电子学系主任，全国 ICCAD 专家委员会主任、ICCAT 专家委员会主任和全国集成电路产品开发专家委员会主任，中芯国际集成电路制造有限公司董事长，中国电子学会副理事长。现任bob登陆网站 集成电路学院名誉院长，北京集成电路学会名誉会长，IEEE Life Fellow 和 IEE Fellow 等。

王阳元长期从事微电子学新器件、新工艺和新结构电路的研究。已发表科研论文 300 余篇，出版著作 14 部，取得发明专利授权 130 余项，拥有 20 项重大科技成果。王阳元主持研究成功我国第一块 1024 位 MOS DRAM，并在此基础上系统开展了多晶硅薄膜物理和 MOS 绝缘层物理的研究，推动 MOS 集成电路技术的发展；主持建设了我国第一个国家级微米 / 纳米加工技术重点实验室，为我国 MEMS 技术发展作出了重要贡献；领导研制成功了我国第一个大型集成化的 ICCAD 系统，为我国集成电路设计业的发展打下了重要技术基础；与海外同行创建了中芯国际集成电路制造有限公司，成为我国集成电路产业发展中新的里程碑；领导建设成功了我国第一条 12 英寸纳米级集成电路生产线，使我国集成电路大生产技术水平处于国际水平。为我国集成电路科技与产业的发展做出了卓越的贡献。

更新时间：2025年3月